台积电1nm以下制程取得重大突破,已发表于Nature

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IT之家 5月17日消息 台积电今日联合台大、麻省理工宣布,在1nm以下芯片方面取得重大进展,研究成果已发表于Nature。

该研究发现,利用半金属铋 Bi 作为二维材料的接触电极,可以大幅降低电阻并提高电流,实现接近量子极限的能效,有望挑战1nm 以下制程的芯片。

据介绍,该发现是由麻省理工团队首先发现的,随后台积电将“易沉积制程”进行优化,而台大电机系暨光电所教授吴志毅团队则通过氦离子束微影系统”将元件通道成功缩小至纳米尺寸。

IT之家此前报道,IBM 在5月初首发了2nm 工艺芯片,与当前主流的7nm 芯片相比,IBM 2nm 芯片的性能预计提升45%,能耗降低75%。

不过业界人士表示,由于 IBM 没有先进逻辑制程芯片的晶圆厂,因此其2nm 工艺无法很快落地,“弯道超车”也比较困难。

(责任编辑:杨胜忠_NB24315)

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